技術參數:
序號 | 投標規格 | 備注 | |
1 | 激光物質 | GaAlAs—半導體 | |
2 | 激光波長 | 650nm/(810±30)nm | |
3 | 終端激光輸出功率 | A探頭:0~500mW可調 C探頭:0~3000mW 可調 |
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4 | 激光器最大輸出功率 | 810nm:1000mW×6 650nm: 5mW×24 |
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5 | 激光輻射面積 | A探頭:50mm² C探頭:22600mm² |
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6 | 定時范圍 | 0-90min ( 30s/檔 ) | |
7 | 工作方式 | 雙路同時輸出,連續或間斷方式 | |
8 | 顯示方式 | LCD 7.5″彩色液晶顯示 | |
9 | 控制方式 | 觸摸按鍵 | |
10 | 電源 | AC220V±22V/ 50Hz±1Hz | |
11 | 整機功耗 | ≤160W | |
12 | 整機重量 | ≤32Kg | |
13 | 整機體積(m³) | 0.525×0.52×0.83 | |
另注: 1、技術專利(1994年獲中國半導體激光治療機最早發明專利),擁有核心技術。 2、通過ISO9001和ISO13485國際質量管理體系認證。 |